Name: Samsung 990 Evo Plus Ssd 1Tb Pcie 4.0X 4 Nvme 2.0
Brand: Samsung
SKU: MZ-V9S1T0BW
Price: 242.73 EUR
Availability: InStock

Samsung 990 Evo Plus Ssd 1Tb Pcie 4.0X 4 Nvme 2.0

Part Number MZ-V9S1T0BW

EAN / Barcode 8806095575674

Fabricante Samsung

242,73 €

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Las imágenes y descripciones técnicas se facilitan con fines informativos y pueden no reflejar fielmente el producto final debido a las actualizaciones constantes del fabricante.

Descripción del Producto

Marca	Samsung
Modelo	MZ-V9S1T0BW
Capacidad	- 1TB
Interfaz	- PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0
Tamaño	- M.2 (2280)
Rendimiento	- Lectura secuencial: hasta 7150 MB/s - Escritura secuencial: hasta 6300 MB/s - Lectura aleatoria (4KB, QD32): hasta 850.000 IOPS - Escritura aleatoria (4KB, QD32): hasta 1.350.000 IOPS
Características	- Memoria caché: HMB (búfer de memoria del host) - Soporte TRIM - Soporte S.M.A.R.T - GC(Garbage collection): Algoritmo de recolección automática de basura - SOPORTE DE CIFRADO Cifrado AES de 256 bits (Clase 0) TCG/Opal IEEE1667 (unidad cifrada) - Soporte WWN - Soporte del modo de suspensión del dispositivo Alimentación - Consumo medio de energía (Nivel de sistema): Promedio: Lectura 4,3 W / Escritura 4,2 W - Consumo de energía (inactivo): Típico 60 mW - Consumo de energía (reposo del dispositivo): 5 mW típico - Voltaje permitido: 3,3 V ± 5 % Tensión permitida - Confiabilidad (MTBF): Fiabilidad de 1,5 millones de horas (MTBF) - Temperatura de funcionamiento: 0 - 70 ºC Temperatura de funcionamiento - Choque: 1.500 G y 0,5 ms (medio seno) Dimensiones y peso - 80,15 x 22,15 x 2,38mm - Max. 9 g
Fecha de revisión	17-10-2024 por RTY

Especificaciones Técnicas

Características

Versión NVMe 2.0

Algoritmos de seguridad soportados 256-bit AES

SDD, capacidad 1 TB

Factor de forma de disco SSD M.2

Interfaz PCI Express 4.0

NVMe Si

Tipo de memoria V-NAND TLC

Componente para PC

Encriptación de hardware Si

Tamaño de la unidad SSD M.2 2280 (22 x 80 mm)

Velocidad de lectura 7150 MB/s

Velocidad de escritura 6300 MB/s

Lectura aleatoria (4KB) 850000 IOPS

Escritura aleatoria (4KB) 1350000 IOPS

Función DevSleep Si

Soporte S.M.A.R.T. Si

Soporte TRIM Si

Tiempo medio entre fallos 1500000 h

Control de energía

Voltaje de operación 3,3 V

Consumo de energía (lectura) 4,3 W

Consumo de energía (escritura) 4,2 W

Consumo eléctrico promedio (lectura) 4,3 W

Consumo eléctrico promedio (escritura) 4,2 W

Consumo de energía (espera) 0,06 W

Consumo de potencia DevSlp (modo sueño) 5 mW

Peso y dimensiones

Ancho 80,2 mm

Profundidad 2,38 mm

Altura 80,2 mm

Peso 9 g

Condiciones ambientales

Intervalo de temperatura operativa 0 - 70 °C

Golpes en funcionamiento 1500 G

Samsung 990 Evo Plus Ssd 1Tb Pcie 4.0X 4 Nvme 2.0

Descripción del Producto