Samsung MZ-V9S2T0 2 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC
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Samsung Mz-V9S2T0 2 Tb M.2 Pci Express 4.0 Nvme V-Nand Tlc

Part Number MZ-V9S2T0BW
EAN / Barcode 8806095575650
Fabricante SAMSUNG
353,23
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Las imágenes y descripciones técnicas se facilitan con fines informativos y pueden no reflejar fielmente el producto final debido a las actualizaciones constantes del fabricante.

Descripción del Producto

Samsung MZ-V9S2T0. SDD, capacidad: 2 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7250 MB/s, Velocidad de escritura: 6300 MB/s, Componente para: PC

Especificaciones Técnicas

Características

Versión NVMe 2.0
Algoritmos de seguridad soportados 256-bit AES
SDD, capacidad 2 TB
Factor de forma de disco SSD M.2
Interfaz PCI Express 4.0
NVMe Si
Tipo de memoria V-NAND TLC
Componente para PC
Encriptación de hardware Si
Tamaño de la unidad SSD M.2 2280 (22 x 80 mm)
Velocidad de lectura 7250 MB/s
Velocidad de escritura 6300 MB/s
Lectura aleatoria (4KB) 1000000 IOPS
Escritura aleatoria (4KB) 1350000 IOPS
Función DevSleep Si
Soporte S.M.A.R.T. Si
Soporte TRIM Si
Tiempo medio entre fallos 1500000 h

Control de energía

Voltaje de operación 3,3 V
Consumo de energía (lectura) 4,6 W
Consumo de energía (escritura) 4,2 W
Consumo eléctrico promedio (lectura) 4,6 W
Consumo eléctrico promedio (escritura) 4,2 W
Consumo de energía (espera) 0,06 W
Consumo de potencia DevSlp (modo sueño) 5 mW

Peso y dimensiones

Ancho 80,2 mm
Profundidad 2,38 mm
Altura 80,2 mm
Peso 9 g

Condiciones ambientales

Intervalo de temperatura operativa 0 - 70 °C
Golpes en funcionamiento 1500 G

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